DDR3-1600 Unbuffered SO-DIMM

TS512MSK64W6H3-I

  • 4GB
  • Basso Voltaggio & Temperatura a range esteso

Specifiche tecniche

Modulo DRAM

Tipo RAM
DDR3
Tipo DIMM
Unbuffered SO-DIMM
Velocitá
1600
Latenza CAS
CL11
Capacità
4GB
Rank
1Rx8
DRAM
(512Mx8)x8
Voltaggio
1.35V
Pin
204 pin
Altezza PCB
1.18 pollici
Spessore dei contatti dorati PCB
30 µ”

Ambiente per il corretto funzionamento

Temperatura operativa
  • Standard
    °C (°F) ~ °C (°F)
  • Temp. range esteso
    -40°C (-40°F) ~ 85°C (185°F)

Garanzia

Garanzia
  • Garanzia a vita
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