DDR3-1600 Unbuffered SO-DIMM

TS512MSK64W6N

  • 4GB
  • Basso Voltaggio

Unbuffered long DIMM e DIMM di piccole dimensioni con un piú basso voltaggio operativo (1.35V) per una maggiore efficienza energetica comparata con i moduli DDR3 standard che operano a 1.5V.

Specifiche tecniche

Modulo DRAM

Tipo RAM
DDR3
Tipo DIMM
Unbuffered SO-DIMM
Velocitá
1600
Latenza CAS
CL11
Capacità
4GB
Rank
2Rx8
DRAM
(256Mx8)x16
Voltaggio
1.35V
Pin
204 pin
Altezza PCB
1.18 pollici

Ambiente per il corretto funzionamento

Temperatura operativa
  • Standard
    0°C (32°F) ~ 85°C (185°F)
  • Temp. range esteso
    °C (°F) ~ °C (°F)

Garanzia

Garanzia
  • Garanzia a vita
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