Le soluzioni industriali Transcend utilizzano 3D NAND flash a 122 livelli per fornire prestazioni avanzate a costi competitivi. A confronto della precedente tecnologia NAND, che permette la sovrapposizione delle celle di memoria fino a 96 livelli, è possibile la sovrapposizione di 112 livelli di NAND flash in una architettura a tre bit per cella (TLC).
Creare una nuova densità di storage
Il 3D NAND flash a 112 livelli fornisce una maggiore capacità di memoria grazie alle celle sovrapposte verticalmente. La densità di storage è stata incrementata del 50% rispetto alla precedente generazione, e la density per die ha raggiunto 1TB, un incremento di due volte maggiore rispetto al BiCS4 in 512GB. Una maggiore densità di memoria significa maggiore capacità e densità dei dati, oltre che ad un minore costo per bit, il che permette alle aziende di avere maggiori capacità di memoria a costi competitivi.
| Tipo di NAND |
112-Layer
3D TLC |
96-Layer
3D TLC |
64-Layer
3D TLC |
| Bit/cella |
3 |
3 |
3 |
| Die Density |
★★★★ |
★★★ |
★★★ |
| Prestazioni |
★★ |
★ |
★ |
| Resistenza (cicli P/E) |
3K |
3K |
1K |
| Affidabilità (retenzione dati) |
★★ |
★★ |
★ |
| Consumo di energia |
Normale |
Normale |
Normale |
| Costo/Gb |
$ |
$$ |
$$$ |
| Caratteristiche |
Adatto per applicazioni industriali ad alte prestazioni |
Adatto per tutte le applicazioni industriali |
Utilizzato maggiormente in prodotti consumer |
*Nota: I cicli P/E cycles variano a seconda del tipo di NAND flash, condizioni di test, e processo di manifatturazione.
Ottenere prestazioni migliori
Oltre ad una capacità maggiore, I 3D NAND flash a 112 livelli hanno prestazioni I/O più attraenti, ed un thougtput del 50% maggiore rispetto al suo predecessore. Queste prestazioni avanzate ed una bassa latenza rendono gli SSD PCIe Gen 4x4 a 112 livelli una scelta ideale per la tecnologia 5G, settore automotivo, AIoT, ed applicazioni di cloud computing.
Adottare tecnologie con valore aggiunto
Per migliorare la propria affidabilità, Transcend adotta alcune tecnologie fondamentali nei suoi 3D NAND flash a 112 livelli per prolongare la vita del dispositivo ed ottimizzarne le prestazioni. Questo include tecnologie wide temperature, SCL caching, RAID engine, LDPC ECC, e molto altro. Attraverso questo approccio, l’integrità dei dati viene assicurata e la memoria assicura un utilizzo più sostenibile in applicazioni ad utilizzo intensivo.