Come funziona il Flash Storage?
La maggior parte delle memorie flash NAND sul mercato al giorno d’oggi possono immagazzinare uno, due o tre bit di dati per cella. Questi tipi di flash sono chiamati rispettivamente Single Level Cell (SLC), Multi- Level Cell (MLC) e Triple-Level Cell (TLC). Tra questi, l’SLC ha la migliore data retention, resistenza ed affidabilità, oltre che al costo più elevato, seguito dall’MLC e dal TLC.
L’SLC è considerato il flash più tollerante agli errori, poichè mentre una cella MLC detiene 2 bit di dati (00, 01, 10, o 11), un SLC detiene solo 1 bit (0, 1). La possibilità di errori è minimizzata quando ogni cella contiene solo 1 bit di dati. D’altra parte, per immagazinare lo stesso ammontare di dati su un SLC NAND, è richiesta una quantità di celle superiore rispetto ad un MLC. Questo, insieme al maggior costo per bit di un dispositivo SLC, scoraggia molte aziende dallo scegliere l’SLC.
La resistenza e come è classificata
La durata della vita di un flash NAND viene misurata in base al numero di cicli P/E, che rappresenta la quantità di operazioni Program/Erase che la memoria flash può eseguire prima che i suoi strati di ossido si degradino a tal punto da non poter più contenere la quantità necessaria di elettroni richiesta per rappresentare i dati in modo affidabile. I cicli P/E per i prodotti SLC vanno da 50.000 a 1.000.000; per MLC, 3.000; e per TLC, circa 1.000.*
*Nota: I cicli P/E pososno variare a seconda del tipo di NAND flash, ambiente di test, e dal processo di fabbricazione.
Il passaggio dalla stratificazione planaria a quella 3D
Man mano che l'elaborazione della matrice continua ad avanzare, la dimensione della matrice si riduce. Il risultato è che la memoria NAND planare 2D sta raggiungendo limiti di densità. Come tale, i produttori hanno iniziato a cercare l'impilamento verticale 3D per una svolta. Questa modifica comporta una serie di problemi, come la conservazione dei dati, l'affidabilità dell'unità e le prestazioni complessive. Fortunatamente, utilizzando tecniche avanzate di gestione flash come la codifica e la programmazione del firmware, i produttori sono in grado di affrontare questi problemi e raggiungere così nuove capacità e prestazioni elevate, garantendo al contempo che i prodotti Flash rimangano accessibili.
I nuovi SSD 3D NAND di Transcend, ad esempio, hanno intgrate molte delle tecnologie più avanzate di Transcend per prestazioni ed affidabilità migliorate. La cache SLC ed il RAID engine migliorano le velocità di lettura/scrittura e prolungano la vita del prodotto; il RAID engine protegge anche i dati e ne migliora la stabilità; l’LDPC (Low Density parity Check) Error Correction Code rileva e corregge gli errori di bit. Queste funzionalità sono tutte indispensabili per prodotti di memoria utilizzati nelle applicazioni AioT.
Soluzioni innovative 96-layer 3D NAND
Transcend ha iniziato a implementare la tecnologia innovativa NAND 3D che consente di impilare verticalmente 96 layers di chip flash NAND in un'architettura a 3 bit per cella. Questa svolta nella densità non solo migliora significativamente l'efficienza di archiviazione rispetto al suo predecessore a 64 livelli, ma vanta anche un'elevata resistenza. Transcend impiega inoltre uno strumento di test interno per garantire la resistenza del suo flash NAND 3D. Ogni chip flash NAND a 96 layers in SSD e schede di memoria può elaborare una media di 3,000 cicli P/E.
Dove il rapporto qualità/prezzo incontra l'affidabilità
I prodotti con celle 3D NAND sono soluzioni convenienti che offrono prestazioni e affidabilità a un prezzo accessibile. L'uso della tecnologia 3D NAND a 96 layer da parte di Transcend aumenta notevolmente la velocità, la resistenza e l'affidabilità del prodotto. I suoi SSD presentano una conservazione dei dati equivalente a quella del flash NAND planare multilivello, ma ad un costo per bit molto più basso. Pertanto, questi SSD integrano i vantaggi di prestazioni elevate e resistenza eccezionale in cicli di lettura/scrittura intensivi, rendendoli ideali per l'uso industriale ed aziendale.